一文读懂当前晶硅电池技术（PERC、TOPCon、HJT、N-IBC、P-IBC）及工艺流程

1、P型电池：PERC占据主流，接近转化效率极限

晶硅电池技术是以硅片为衬底，根据硅片的差异区分为P型电池和N型电池。两种电池发电原理无本质差异，都是依据PN结进行光生载流子分离。在P型半导体材料上扩散磷元素，形成n+/p型结构的太阳电池即为P型电池片；在N型半导体材料上注入硼元素，形成p+/n 型结构的太阳电池即为N型电池片。

P型电池制作工艺相对简单，成本较低，主要是BSF电池和PERC电池。2015年之前，BSF电池占据90%市场；2016年之后，PERC电池接棒起跑，到2020年，PERC电池在全球市场中的占比已经超过85%，且目前以双面PERC为主。

PERC（Passivated Emitter Rear Cell）——发射极及背面钝化电池技术，与常规电池不同之处在于背面，PERC电池采用了钝化膜来钝 化背面，取代了传统的全铝背场，增强光线在硅基的内背反射，降低了背面的复合速率，从而使电池的效率提升0.5%-1%。2020年，规模化生产的单/多晶电池平均转换效率分别达到22.7%和19.4%。P型单晶电池均已采用PERC技术，平均转换效率同比提升 0.5个百分点。

由于P型单晶硅PERC电池理论转换效率极限为24.5%，导致P型PERC单晶电池效率很难再有大幅度的提升；并且未能彻底解决以P型硅 片为基底的电池所产生的光衰现象，这些因素使得P型硅电池很难有进一步的发展。与传统的P型单晶电池和P型多晶电池相比， N型电池具有转换效率高、双面率高、温度系数低、无光衰、弱光效应好、载流子寿命更长 等优点。

注释：

1、Front metal grid（Ag）：前表面金属银电极

2、Front ARC and passivating coating（SiNx）：前表面氮化硅钝化层

3、n+（phosphorous）emitter：磷层发射极，称为n+层

4、p-type Si：P型基底硅层

5、p++local Al BSF：局部铝背场，称为p++层

6、Rear metal grid（Al）：金属铝背电极

7、Rear ARC and passivating coating（Al2O3/SiNx）：背钝化层，Al2O3带负电，可作为P型的背钝化层，抑制电子

两种工艺生产流程