TOPCon电池技术分析 | ppt

TOPCon是一种基于选择性载流子原理的隧穿氧化层钝化接触（Tunnel Oxide Passivated Contact）太阳能电池技术，其电池结构为N型硅衬底电池，在电池背面制备一层超薄氧化硅，然后再沉积一层掺杂硅薄层，二者共同形成了钝化接触结构，有效降低表面复合和金属接触复合，为N-PERT电池转换效率进一步提升提供了更大的空间。

隧穿氧化层钝化接触（Tunnel Oxide Passivating Contacts）电池的概念由德国夫琅禾费太阳能系统研究所(Fraunhofer-ISE)于2013年提出，下图为该N型钝化接触太阳能电池的结构

示意图。

前表面与常规N型太阳能电池或N-PERT太阳能电池没有本质区别，主要区别在于背面。硅片背面采用硝酸湿法氧化出一层1.4 nm左右的极薄氧化硅层，并利用PECVD在氧化层表面沉积一层20 nm厚的磷掺杂的微晶非晶混合Si薄膜。钝化性能需通过后续退火过程激活，Si薄膜在该退火过程中结晶性发生变化，由微晶非晶混合相转变为多晶。在850 °C的退火温度下退火，iVoc > 710 mV, J0在9-13 fA/cm2，显示了钝化接触结构优异的钝化性能。